性高潮 八家芯片原厂推出ACDC加契约套片贬责决策，简化快充打算

弁言性高潮

面前，快充阛阓正渐渐插手整合阶段，越来越多的芯片原厂开动专注于开采多种功能芯片，并将其组合变成竣工的快充贬责决策，旨在通过套片组合的方式，提供一站式贬责决策，简化快充建立的打算经由。

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传统的快充电路打算频频需要多个分立的芯片来分歧完了不同功能，如电源转机、契约通讯和电源料理，这使得工程师在打算时需要兼顾多种元件之间的配合和调试。而如今，芯片原厂通过推出成套的快充芯片组合，不仅不错确保各个模块间的无缝谐和，还简略让打算者通过简便的芯片套片成就，快速完了从调换电源到建立端的竣工充电链路。

通过整合多种芯片功能，企业能为建立制造商提供更天真、清楚的打算选项，同期大幅简化研发和分娩过程，虚构举座开采老本。

AC-DC加契约套片贬责决策

充电头网基于过往的拆解叙述与新闻贵府，汇总了多家芯片原厂推出的AC-DC加契约套片贬责决策，并已整理成下表所示。

面前仅列出了这些企业的一款贬责决策，但这并不料味着该企业仅有这一款居品可供汲取。事实上，也有一些企业也曾迈向更高集成度的发展旅途，得手开采出全集成的单芯片贬责决策，将AC-DC转机、快充契约复旧以及电源料理等多个功能模块集成于一体。这种高度集成的芯片不仅简略极地面简化居品打算和开采经由，还能提高电源料理的效果，进一步裁减居品的上市时候。

以下排行不分先后，按企业英文首字母排序。

Chipown芯一又微

PN8276W + PN8600W + AP5805W 芯一又微PN8276W

开关电源主控芯片遴选芯一又微PN8276W，其里面集成了电流模式阻抑器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。

PN8276W内置Boost电路以适合3~20V的可变宽范围输出应用。该芯片通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适合切换PWM、强制DCM、PFM和Burst_Mode责任模式，多模式的调制期间和出奇器件低功耗结构期间完了了超低的待机功耗、全电压范围下的最好效果。频率调制期间和Soft-Driver期间充分保证系统的精采EMI阐明。

同期，PN8276W还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出欠压/过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。

芯一又微PN8600W

同步整流阻抑器丝印86D13，本体为芯一又微PN8600W。其主要用于在高性能AC-DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以晋升转机效果，适用于CCM、DCM和QR多种责任模式，使系统效果不错骄气6级能效程序。

当输出电压小于4.3V时，内置的高压启动电路不错产生复旧系统责任的自供电电压，是以当输出电压从12V到3.3V变化时，PN8600W仍然不错往往责任。PN8600W还集成了极为全面的赞成功能，包含欠压保护、防误关断、防误开启功能。

芯一又微AP5805W

契约芯片来自芯一又微AP5805W，这是一款高集成度且可编程的快充契约阻抑器，其内置MCU可经由D+/D-检测多种快充契约并作念出相应反映，其可复旧BC1.2、SCP-A/B、FCP、QC2.0等契约，适用于3.4-12V输出范围。

AP5805W内集成恒压与恒流双环路阻抑，以适合性地诊疗输出电压和输出电流。内置MCU知道终局侧教唆，诊疗恒压与恒流双环路的基准，并通过DAC传递至对应环路。

AP5805W一样集成10-bit ADC监测多项信息，举例输出电压、输出电流、外置OTP等，并将监测到的信息发送至内置MCU以供监控。其一整套的保护包含可编程过温保护，适合性过压保护、适合性欠压保护以及D+/D-的过压等保护，可有用保护供电建立与充电建立的安全性。

应用案例：

1、拆解叙述：华为40W超等快充充电器

HYASIC华源智信

HY923+HY1662性高潮+HY5501

华源智信推出了一理睬机零功耗的PD快充决策，主要由华源智信自研的PWM阻抑器芯片HY1662、同步整流阻抑器HY923以及PD阻抑器芯片HY5501组成。通过将多个功能模块整合到一个紧凑的打算中，该决策不仅提高了建立的性能，还权贵虚构了动力浪掷。

华源智信居品是通过组合口头完了零待机(小于5mw)，在空载时候堵截光耦，不错完了通盘系统在待机时的功耗为4.5~4.8mW，不错骄气零待机，但余量不大。因此通过虚构同步整流器的损耗，即通过契约堵截同步整流待机通电，不错让通盘系统的待机损耗降至3.X mW，剩余1.X mW的裕量，从而完了居品的量产化。

HY923

HY923是一款智能数字阻抑同步整流阻抑器，行动二极管模拟器责任。HY923不错在正端或负端应用，关断速率快，反向尖峰电压低，耐压150V，驱动才调强，驱动电压钳位在7V，启动时驱动下拉功能，具有积分功能以幸免同步整流误绽放。

HY923不错驱动程序N通谈功率金属氧化物半导体场效应晶体管，以替代肖特基二极管，完了高效果。HY923遴选数字阻抑期间，以优化在不同应用中的DCM / PFM / CCM / QR多模式操作。数字阻抑期间进一步增强了矜重的CCM操作。

自适合预关断决策不仅确保了快速切换，还最小化了开关损耗。自适合预关断决策通过软SR MOSFET关断过渡，优化了电磁干涉（EMI）。通过INTG引脚可成就的电压-时候阈值，幸免了在DCM/QR模式下由于寄生环路引起的SR MOSFET误触发切换。

HY923集成了多种功能，不错减少BOM并优化性能，提供SOT23-6封装。

HY1662

华源智信HY1662是一款用于电源料理和电压诊疗的PWM阻抑器芯片，其主要阐明监测输入电压并阻抑输出电压以保握清楚。

HY1662内置通讯契约，在收到ZP信号后可插手低功耗式，驱动MOS或GaN针对Coo1Mos有自适合智能驱动，HY1662不错高压启动+低走电，全QR操作，最高频率200K，具有高达55V的责任电压，适合输出电压范围极度宽。

HY1662在该决策中旨在完了低于5毫瓦的待机功耗和50微安的待机电流。其集成了精密的恒压（CV）阻抑决策，复旧脉冲模式阻抑、PFM（脉冲频率调制）、DCM（降压模式）和QR（恒定导通时候）等多种阻抑模式，并具有频率抖动、自适合MOSFET栅极驱动和热关断电路等功能。

HY1662还集成了丰富的保护和功能，如澄莹赔偿、输出过电压保护、过温保护、上电和断电保护以及感应电阻器开路保护，同期提供SOP7封装。

HY5501

HY5501是一款镶嵌式32位微阻抑器，领有32KB的闪存、64位e-Fuse ROM和2KB的静态无意存储器（SRAM），是一款高性能的可编程PD阻抑器芯片，这款芯片也曾得到了PD3.1 SPR 认证，TID：9887，适用于快充适配器、迁徙电源等领域。

HY5501里面集成了CC/CV环路赔偿、电缆损耗赔偿和阻抑决策，不错编程复旧多样专有契约，如PD/PPS、Qualcomm QC2.0/3.0、PE2.0等。HY5501内置的TYPE-C契约复旧在插入TYPE-C建无意的自动叫醒系统。它不错自动识别建立的插入和拔出，以及建立的充电/放电属性。

HY5501打算高度集成，外部组件极度少，具有欠压保护（UVP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温保护（OTP）等多种保护模式，让系统的可靠性大大提高。

上图展示的是HY5225，这是华源智信故意为三星定制的料堪称号。本体上，它与HY5501是吞并颗芯片。HY5501提供QFN24封装，具有尺寸小、分量轻、高度集成等优点，适用于高密度装置和高频应用。

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Infineon英飞凌

英飞凌EZ-PD PAG1系列电源芯片套片 英飞凌CYPAP111A3

开关电源PWM阻抑器遴选英飞凌CYPAP111A3，是一款集成度极度高的贬责决策，内置高压启动和X电容放电，适用于反激适配器应用。

英飞凌CYPAS111AB

英飞凌CYPAS111AB，属于EZ-PD PAG1系列居品PAG1S，芯片里面集成同步整流和契约功能，集成VBUS开关管和同步整流管驱动，无需外置契约芯片，集成度高。这款芯片还遴选变压器进行反馈，搭配英飞凌PAG1P低级芯片使用。

INJOINIC英集芯

IP2006H+IP2002TS+IP2233

魅族这款充电器遴选了英集芯快充电源决策，由英集芯IP2006H低级主控芯片，并搭配使用IP2002TS同步整流芯片和IP2333契约芯片组成。

通过对PCBA模块的不雅察发现，这款充电器遴选反激架构，宽范围电压输出，输出电压由契约芯片通过光耦反馈诊疗。低级主控芯片，同步整流芯片和契约芯片均来自英集芯。

IP2006H

英集芯IP2006H是一款高性能多模式反激阻抑器，芯片具备频率折返和谷底导通期间，并复旧自适合开关频率，提高轻载效果，最掀开关频率得到优化，虚构温升，并提高满载效果。

IP2006H还具备突发模式，简略在轻载和空载着落低待机功耗，骄气CoC V5和DoE VI程序，芯片具备完善的保护功能，包括Brown-in/Brown-out、输出过压保护、输出欠压保护、VDD过压保护、输入过压保护和过热保护，况兼复旧参数定制，复旧过功率保护，遴选SOT23-6封装。

IP2002TS

英集芯同步整流芯片IP2002TS，芯片里面集成同步整流阻抑器和65V耐压，8mΩ导阻的同步整流管，复旧CCM、DCM和QR反激，用于取代肖特基二极管，提高电源的转机效果，芯片复旧高侧和低侧同步整流应用，适当CoC V5和DoE VI。

IP2002TS内置稳压电路，无需外部赞成绕组供电。芯片仅需一个电阻和一个电容，外围元件极简。IP2002TS复旧3.3-12V宽范围输出应用，极度适用于快充充电器和电源适配器应用，遴选SOP8L封装。

IP2233

英集芯契约芯片IP2233是一颗USB接口的快充芯片，芯片复旧QC3.0/2.0快充，复旧MTK PE快充，复旧BC1.2充电契约。芯片复旧NTC过热保护，具备DP、DM引脚过电压保护，具备DP、DM引脚弱短路保护，遴选SSOP10封装。

英集芯 IP2233 贵府信息。

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iSmartWare智融科技

SW1108+SW1608+SW3566+SW3536*2

这款140W决策遴选SW1108+SW1608+SW3566+SW3536*2的打算，遴选2A+2C接口打算，这一决策打算充分应用了各芯片的上风，让举座决策集成度大大晋升。

在这一款决策中，SW1108行动集成氮化镓直驱的高频准谐振反激阻抑器，极大晋升了电路的转机效果，同期减少了外部元件的需求。SW1608行动同步整流驱动阻抑器，专为离线式反激变换器的副边同步整流管驱动打算，从而进一步优化系统的能效。双口充电SOC芯片SW3566和两颗多快充契约芯片SW3536则分歧阐明阻抑不同的充电接口，复旧多种快充契约，复旧USB-A和USB-C的双口快充输出，况兼复旧独处限流，保险每个接口的充电性能。

经过实测，这款决策的尺寸为67.3*69.4*21.93mm，分量约为144.6g，功率密度达到1.36 W/cm³，具备优异的功率体积比。

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MIX-DESIGN好意思想半导体

SimpleTOP平台系列芯片决策 65W全集成决策

好意思想半导体初度级全集成决策SimpleTOP平台，该平台包含两个主要居品系列：SimpleGaN系列内置氮化镓（GaN）器件，SimpleFET系列则内置MOSFET器件，均旨在提供高性能、高集成、低老本的快充贬责决策。

SimpleGaN系列芯片基于SimpleTOP平台的新一代数字智能化处理架构，该系列芯片具有超高的集成度和性能，将原边阻抑器+ 高压GaN + 抨击通讯 + 次级SR 阻抑器 + 契约等功能集于孤单，并故意针对快充决策进行了优化，只需要少量的外部元件便能构建出高效的快充电源系统，完了从阻抑到输出的全标的集成。

SimpleGaN系列遴选准谐振（QR）阻抑模式，搭载了先进的数字阻抑期间，通过智能化算法可完了在PWM和PFM模式下无缝切换，在不同负载要求下可有用提高系统效果并有用扼制EMI干涉。内置的DSP中枢提供极高的运算才调，简略凭据负载需求天真诊疗系统的开关频率、占空比和原边IPeak电流，完了精确的恒压恒流输出，确保通盘电源系统保握最好的转机效果。

SimpleGaN系列芯片复旧多种市面主流快充契约，包括PD3.1、UFCS、QC2.0/3.0/3.0+、MTK-PE+、SFCP以及SCP、AFC和Apple 2.4A等专有契约；内置的VIsync数字校准期间大幅晋升了输出电压和电流的精度，并通过Burst-Sense原边-副边抨击通讯期间完了了统共数字化的反馈系统，摒除了传统模拟电源打算中所需的反馈赔偿集聚，不仅有用简化了电路打算，同期提高了系统在多样负载要求下的清楚性，终点稳妥高效快充的应用场景。

封装方面，SimpleGaN系列全集成芯片遴选好意思想半导体故意开采的Mssop20封装，具有超高耐压及绝缘距离。SimpleGaN系列在兼顾安全性与性价比的前提下具备更低的系统老本及不错完了愈加极致的功率密度，况兼举座的性能愈加的优秀。举座的电路结构极度的精简，通过一颗芯片就不错贬责统共的问题。

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Renesas瑞萨

iW9801 + iW709

开关电源PWM阻抑器来自Dialog，iW9801，是一颗高性能的数字化开关电源反激阻抑器，复旧零电压开关和自适合的多模式阻抑运行，搭配次级阻抑器可完了高功率密度和高输出精度的打算。iW9801可搭配Dialog的次级侧阻抑器共同使用，提供低于20mW的空载功耗。

契约芯片一样来自Dialog，型号iW709，为次级侧阻抑器，与iW9801搭配使用。iW709复旧USB PD3.0和PPS，复旧高通QC4+快充，集成契约，VBUS通路管驱动和同步整流阻抑器以及二次侧稳压阻抑在一颗芯片中。复旧多级电压输出。

iW709还内置了同步整流阻抑器以及驱动，使用外置的MOS整流，取代传统的肖特基二极管整流。同步整流阻抑器优化了绽放/关闭时序，并使用独到的时序阻抑期间，可用于ZVS和ACF拓扑，并提供最好的效果。反馈信号由模拟信号转机成数字信号，并由光耦传输到低级阻抑器。

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SouthChip南芯科技

POWERQUARK系列芯片决策 南芯POWERQUARK 65W 参考打算

参考打算遴选南芯POWERQUARK系列全集成芯片，型号SC3107C，芯片内置南芯自研的全集成封装期间，内置高速抨击数字通讯期间，集成次级阻抑软开关期间和次级阻抑主动式同步整流期间，并集成多程序快充契约兼容期间。一颗芯片不错完了传统充电器华夏边阻抑器+GaN器件+抨击光耦+同步整流阻抑器和契约芯片五种独建功能。

POWERQUARK系列芯片的高集成度大幅度减少充电器外围元件数目，具备开采周期短，居品质价比高的上风。芯片内置的高速数字抨击通讯模块SC-PQLINK，不仅带来比光耦更高的系统可靠性，同期还完了了次级阻抑。芯片应用次级阻抑上风完了了原边软开关和主动式同步整流，晋升了电源的举座效果，并虚构散热要求。

芯片里面还集成契约功能，复旧UFCS会通快充，PD快充以及独到契约定制，骄气主流阛阓需求。芯片里面集成供电过压保护，逐周期电流阻抑，输出欠压保护，输出过压保护，输出过电流保护和输出短路保护。里面还集成软启动性高潮，最高责任频率为175KHz。芯片遴选SSOP38L封装，复旧65-140W PD快充应用。